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FCC限制下中国光芯片竞速

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AI 综述

2026年10月26日,钛媒体报道,美国FCC对光互联产业链的限制正从光模块向上游光芯片延伸,国产光芯片的替代窗口被压缩至2026—2028年。报道称,光芯片占光模块成本30%以上,高速率下有望升至60%;但国内100G EML良率仅为海外一半,200G EML良率仅40—50%。与此同时,海外龙头正借政策缓冲期扩产6英寸InP,Coherent计划将晶圆产能提升4倍。目前进展停留在上述产业与政策态势层面,报道未提及后续具体应对或突破。

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报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月26日
  1. 钛媒体
    FCC阴影下,中国光芯片的生死竞速

    美国FCC对光互联产业链的限制正从光模块向上游光芯片延伸,国产光芯片的替代窗口被压缩至2026-2028年。光芯片占光模块成本30%以上,高速率下有望升至60%,但国内100G EML良率仅为海外一半,200G EML良率仅40-50%。海外龙头正借政策缓冲期扩产6英寸InP,Coherent计划将晶圆产能提升4倍。

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